Capas fin¨ªsimas en las que se manifiestan efectos cu¨¢nticos

El concepto utilizado en la memoria RAM magn¨¦tica es semejante al de la cabeza lectora del disco duro, pero con una importante novedad, ya que "entre las capas met¨¢licas se intercalan otras de ¨®xido, que son aislantes, por lo que la corriente el¨¦ctrica no puede atravesarlas de forma convencional, sino por efecto t¨²nel, una manifestaci¨®n cu¨¢ntica. Pero, para que sea posible, es necesario modular muy bien el espesor de la capa aislante, que deber¨ªa ser de s¨®lo uno o dos ¨¢tomos, ya que por cada capa at¨®mica que se a?ade se disminuye el efecto por un factor 10", seg¨²n Parkin. El fen¨®meno se denomina magnetorresistencia por efecto t¨²nel (TMR) y, seg¨²n el especialista franc¨¦s Albert Fert, el espesor de las capas ser¨¢ de apenas medio nan¨®metro.

Despu¨¦s de poner a punto la M-RAM, el estadounidense Stuart Parkin piensa que el siguiente paso ser¨¢ modificar la tecnolog¨ªa de los discos duros para evitar los fallos derivados de su actual configuraci¨®n, en la que la cabeza lectora debe moverse con una extrema rapidez: "Actualmente, estos discos necesitan un elemento mec¨¢nico y eso no es lo ideal, porque se producen errores de lectura y cuanta mayor densidad tengan mayor n¨²mero de errores se generar¨¢n. Creo que en 10 a?os dispondremos de un sistema est¨¢tico, basado en una combinaci¨®n de la tecnolog¨ªa CMOS de semiconductores y la magn¨¦tica".

La espintr¨®nica

El descubrimiento de la magnetorresistencia gigante supuso el nacimiento de la espintr¨®nica, que intenta aprovechar la combinaci¨®n del magnetismo y la tecnolog¨ªa de semiconductores. "Los electrones tienen carga el¨¦ctrica, que es lo que se aprovecha en la electr¨®nica actual, pero tambi¨¦n tienen la cualidad del esp¨ªn, una propiedad cu¨¢ntica que determina su comportamiento magn¨¦tico", explica Ra¨²l Villar, catedr¨¢tico de F¨ªsica de la Materia Condensada de la UAM y codirector del encuentro celebrado en Miraflores. "La espintr¨®nica permitir¨¢ el uso del esp¨ªn en m¨²ltiples aplicaciones en computaci¨®n, como puertas l¨®gicas, ya que el electr¨®n puede estar en dos estados diferentes y hacer superposiciones de estos estados".

"Nosotros estamos trabajando en esto; sustituyendo algunos elementos semiconductores por dispositivos magn¨¦ticos, por ejemplo, se pueden conseguir funciones electr¨®nicas como la del transistor aprovechando el esp¨ªn de los electrones, lo que permite mayor velocidad, y tambi¨¦n en elementos l¨®gicos, lo que se conoce como computaci¨®n cu¨¢ntica, pero todo esto est¨¢ a¨²n en sus primeros pasos, quiz¨¢s en 10 a?os sea ya realidad", dice Fert.