F¨ªsicos de Alemania consiguen memorias que resisten los apagones de luz

Pronto podr¨ªan ser realidad los ordenadores que no olvidan cuando se va la luz de forma repentina. Los f¨ªsicos del Instituto Max Planck de F¨ªsica de Microestructuras, en Halle (Alemania), han fabricado memorias de alta capacidad que guardan la informaci¨®n incluso en esas circunstancias, en las que ahora toda la informaci¨®n almacenada en la memoria operativa del ordenador se evapora. El reto consiste en reducir el tama?o de las RAM ferroel¨¦ctricas aumentando su capacidad de almacenar informaci¨®n y haci¨¦ndolas compatibles con los min¨²sculos sistemas de la electr¨®nica moderna.

En los ordenadores actuales la informaci¨®n se almacena y procesa en circuitos el¨¦ctricos -en memorias de acceso aleatorio o memoria RAM- hasta que es transmitida a una memoria magn¨¦tica permanente. Esta informaci¨®n se encuentra en forma binaria: secuencias de unos y ceros, que se corresponden con conmutadores electr¨®nicos que pasan de uno a otro estado. Los circuitos necesitan electricidad para mantener las configuraciones de todos los conmutadores.En una RAM no vol¨¢til los conmutadores ser¨ªan cambiados el¨¦ctricamente, pero retendr¨ªan sus configuraciones incluso aunque se fuera la luz. Los ingenieros inform¨¢ticos creen que se pueden construir a partir de los materiales ferroel¨¦ctricos. Son sustancias que se pueden polarizar el¨¦ctricamente: una separaci¨®n asim¨¦trica entre carga positiva y negativa dentro del material crea un campo el¨¦ctrico. Esto hace posible que un material ferroel¨¦ctrico act¨²e como los dominios magn¨¦ticos que codifican la informaci¨®n binaria en las memorias magn¨¦ticas: un 1 corresponde a una direcci¨®n de polarizaci¨®n, y un 0 a la otra. Se puede cambiar la orientaci¨®n aplicando un impulso de tensi¨®n al material ferroel¨¦ctrico, pero, una vez cambiada, permanece en esa posici¨®n hasta que se aplique otro impulso.

Los f¨ªsicos llevan muchos a?os trabajando para desarrollar RAM ferroel¨¦ctricas no vol¨¢tiles. Generalmente consisten en una fina pel¨ªcula de material ferroel¨¦ctrico, cortado en miles de min¨²sculos cuadrados que sirven cada uno como elemento de memoria, y almacenan una unidad de informaci¨®n. Actualmente el principio de las RAM ferroel¨¦ctricas est¨¢ bien establecido pero el reto consiste en hacerlas suficientemente peque?as como para almacenar grandes cantidades de informaci¨®n y al mismo tiempo compatibles con los min¨²sculos sistemas electr¨®nicos modernos.Ahora M. Alexe y sus colegas del Instituto Max Planck de Halle han fabricado la memoria ferroel¨¦ctrica m¨¢s peque?a que existe, y en la publicaci¨®n Applied Physics Letters (del 20 de septiembre) informan que las min¨²sculas celdas de memoria se pueden activar electr¨®nicamente de forma individual. Diez mil celdas yuxtapuestas med¨ªan s¨®lo un mil¨ªmetro. Los investigadores demostraron que pod¨ªan leer datos dentro y fuera de celdas individuales de memoria en una amplia serie. Las celdas eran lo suficientemente compactas como para proporcionar una capacidad de memoria de un mill¨®n de bits de datos con un ¨²nico elemento del tama?o de un chip, suficiente para un moderno ordenador personal.

? Nature News Service